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2019年3月14日 NPFセミナー 省エネルギー社会に貢献するGaN材料の将来とそのキープロセス技術@産業技術総合研究所臨海副都心センターにて発表しました。  New !
演題: 光電気化学反応を用いたGaNのウェットエッチングプロセス
関連サイト: https://ssl.open-innovation.jp/npf/training/h30-4/

2019年3月9-12日 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会@東工大 大岡山キャンパスにて発表しました。  New !
演題:
  • 9a-M121-10 Quartz-free-HVPE成長n型GaN層における補償アクセプタの起源解明
  •                           (筆頭著者:京都大学)
  • 9p-M121-3 自立GaN基板上p-n接合ダイオードの2段メサ構造による高破壊耐量化
  •                           (筆頭著者:法政大学)
  • 9p-M121-4 ストライプELO自立GaN基板上p-n接合ダイオード
  •                           (筆頭著者:法政大学)
  • 10a-M121-6 GaNの光電気化学(PEC)エッチングが有する可能性②コンタクトレスでのエッチング
  • 10a-M121-7 ペルオキソ二硫酸イオン(S2O82-)含有電解液におけるGaNの電気化学特性
  •                           (筆頭著者:北海道大学)
  • 11p-PB3-5 界面顕微光応答法による電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの2次元評価
  •                           (筆頭著者:福井大学)
  • 12a-W541-1 HVPE法による加工サファイヤ基板上のAlN成長
  • 12a-W541-5 光熱偏向分光法によるGaN自立基板上ホモエピタキシャル層の評価
  •                           (筆頭著者:物材機構)
    関連サイト: http://meeting.jsap.or.jp/

    2019年2月20日 簡便なGaN光電気化学エッチング(PECエッチング)技術に関する論文が、Applied Physics Express誌に掲載されました。  New !
    "Simple wet-etching technology for GaN using an electrodeless photo-assisted electrochemical reaction with a luminous array film as the UV source",
    Fumimasa Horikiri, Noboru Fukuhara, Hiroshi Ohta, Naomi Asai, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima, Masachika Toguchi, Kazuki Miwa and Taketomo Sato
    Appl. Phys. Express 12, 031003 (2019)
    http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1882-0786/ab043c