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2018年6月8日 当社のHVPE技術がSemiconductor Todayに紹介されました。  New !
HVPEによるGaNエピウエハとGaN自立基板に関係する記事です。
http://www.semiconductor-today.com/news_items/2018/jun/sciocs_080618.shtml
Expanding the application potential of hydride vapor phase epitaxy
2018年3月17-20日 2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会にて発表しました。
演題:
  • 17p-E201-6  【招待講演】高周波素子用GaN MOCVDエピの進展
  •         シンポジウム「化合物電子デバイス・プロセス技術の進展~GaAsの繁栄から学ぶ・温故知新~」
            講演ポスター: https://meeting.jsap.or.jp/jsapm/wp-content/uploads/2017/12/S20.pdf
  • 18a-C302-6   高い破壊耐量を有する自立GaN基板上p-n接合ダイオード
  •                           (筆頭著者:法政大学)
  • 18a-C302-10 自立GaN 基板上n-ドリフト層のパルス陽極酸化によるエッチング
  • 19a-C302-11 自立GaN 基板上GaN ホモエピ層の表面モフォロジーと基板オフ角
  • 19a-C302-12 有機金属気相成長法にて自立GaN基板上に成長させたGaNホモエピタキシャル層の光物性評価
  •                           (筆頭著者:東北大学)
  • 18a-E202-3   HVPE成長GaNホモエピタキシャル層の平坦性改善
  • 19a-E202-2  【注目講演】多光子励起フォトルミネッセンス測定によるGaN結晶中の貫通転位の種別判定
  •                           (筆頭著者:東北大学)
    関連サイト: http://meeting.jsap.or.jp/