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2018年10月30日 当社では技術営業職を募集しております。  New !
経験者採用に関する情報はこちらをご覧ください。
2018年10月8日 GaN基板上ホモエピにおける表面荒れメカニズムに関する論文が、Applied Physics Letters誌に掲載されました。  New !
注目論文(Featured Article)に選ばれ、また、表紙の図としても本論文の図が採用されました。
"Roughening of GaN homoepitaxial surfaces due to step meandering and bunching instabilities and their suppression in hydride vapor phase epitaxy",
Hajime Fujikura, and Taichiro Konno
Appl. Phys. Lett. 113, 152101 (2018); Featured Article
https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5042572

2018年9月18-21日 2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会@名古屋国際会議場にて発表しました。  New !
演題:
  • 18a-146-4   【注目講演】
                            多光子励起フォトルミネッセンスによるHVPE成長GaNの選択成長過程と転位の伝搬の観察
  •                           (筆頭著者:東北大学)
  • 19p-CE-5    【招待講演】「優秀論文賞受賞記念講演」*
  •                         Hydride-vapor-phase epitaxial growth of highly pure GaN layers with smooth as-grown
                            surfaces on freestanding GaN substrates
  • 20a-331-5   GaN自立基板上に成長したドリフト層中の欠陥生成におけるオフ角の影響
  •                           (筆頭著者:福井大学)
  • 20p-331-7   GaNの光電気化学(PEC)エッチング機構
  • 20p-331-8   光電気化学(PEC)エッチングによるメサ構造GaN p-n接合ダイオード
  •                           (筆頭著者:法政大学)
  • 20p-331-9   GaN の光電気化学(PEC)エッチングが有する可能性
  • 関連サイト: http://meeting.jsap.or.jp/

      * 第40回(2018年度)応用物理学会論文賞を受賞しました。
         https://www.jsap.or.jp/outstanding-paper-award/recipients40
         Jpn. J. Appl. Phys. 56 (2017) 085503
         次のサイトから論文を無料でダウンロードすることが可能です
         http://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.56.085503/meta
    2018年8月23日 GaN光電気化学エッチング(PECエッチング)技術がSemiconductor Todayに紹介されました。  New !
    Photo-electro-chemical deep trench etching in gallium nitride
    2018年8月10日 光電気化学エッチング(PECエッチング)により垂直GaNトレンチ構造の作製に成功しました。  New !
    サイドエッチングの幅は1μm以下と高精度、20μmを超えるエッチング深さでトレンチのアスペクト比は7を超えました。本PECエッチング技術により、スーパージャンクションFET、LDのリッジ製造、ウエハダイシング、MEMSなど最先端GaNデバイス構造の製作が可能になります。
    関係する論文がApplied Physics Express に掲載されました。
    Excellent potential of photo-electrochemical etching for fabricating high-aspect-ratio deep trenches in gallium nitride
    Applied Physics Express, Volume 11, Number 9
    Appl. Phys. Express 11, 091001 (2018)
    http://iopscience.iop.org/article/10.7567/APEX.11.091001/meta



    出典: Fumimasa Horikiri et al 2018 Appl. Phys. Express 11 091001
    2018年7月31日 GaN単結晶基板製作技術に関する研究開発論文が住友化学技術誌2018に掲載されました。
    GaN単結晶基板の開発
    2018年7月9日 低転位GaNエピタキシャル層を光電気化学的に平坦かつダメージなくエッチングする方法を開発しました。
    本ウエットエッチング方法によって作製したメサ型ダイオードは高い歩留りで3kV以上の耐圧を示しました。
    またエッチング速度は電流密度によって正確に制御することができるので、低転位GaN基板を使用した縦型GaNパワーデバイスにおいてエッチング損傷なくトレンチ構造を作製できる事が期待されます。
    関係する論文がJapanese Journal of Applied Physics (JJAP) に掲載されました。
    "Excellent wet etching technique using pulsed anodic oxidation for homoepitaxially grown GaN layer”
    Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita and Takehiro Yoshida
    Japanese Journal of Applied Physics, Volume 57, Number 8 (2018)
    2018年6月8日 当社のHVPE技術がSemiconductor Todayに紹介されました。
    HVPEによるGaNエピウエハとGaN自立基板に関係する記事です。
    http://www.semiconductor-today.com/news_items/2018/jun/sciocs_080618.shtml
    Expanding the application potential of hydride vapor phase epitaxy
    2018年5月9日 CS-MANTECH(米国テキサス州)で「GaN基板上GaNエピによる電子デバイスの可能性」について発表しました。
    演題:Real potential of GaN electric devices coming from GaN on GaN
    関連サイト:http://csmantech2018.conferencespot.org/program
    2018年3月17-20日 2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会にて発表しました。
    演題:
  • 17p-E201-6  【招待講演】高周波素子用GaN MOCVDエピの進展
  •         シンポジウム「化合物電子デバイス・プロセス技術の進展~GaAsの繁栄から学ぶ・温故知新~」
            講演ポスター: https://meeting.jsap.or.jp/jsapm/wp-content/uploads/2017/12/S20.pdf
  • 18a-C302-6   高い破壊耐量を有する自立GaN基板上p-n接合ダイオード
  •                           (筆頭著者:法政大学)
  • 18a-C302-10 自立GaN 基板上n-ドリフト層のパルス陽極酸化によるエッチング
  • 19a-C302-11 自立GaN 基板上GaN ホモエピ層の表面モフォロジーと基板オフ角
  • 19a-C302-12 有機金属気相成長法にて自立GaN基板上に成長させたGaNホモエピタキシャル層の光物性評価
  •                           (筆頭著者:東北大学)
  • 18a-E202-3   HVPE成長GaNホモエピタキシャル層の平坦性改善
  • 19a-E202-2  【注目講演】多光子励起フォトルミネッセンス測定によるGaN結晶中の貫通転位の種別判定
  •                           (筆頭著者:東北大学)
    関連サイト: http://meeting.jsap.or.jp/