事業内容

事業分野

当社は化合物半導体結晶分野におけるリーディングカンパニーです。GaN(窒化ガリウム)やGaAs(ヒ化ガリウム)を中心に化合物半導体事業を展開し、電子デバイスや光デバイス用途としてお客様が要求する高品質な基板、エピタキシャル*1ウェハを提供しています。

電子デバイス向けでは、携帯電話基地局やレーダーの高周波パワーアンプ、携帯端末や無線LAN機器などの受発信デバイス、スイッチ素子などに広く採用されています。また、次世代パワーデバイス用途に向けたGaN基板の開発にも注力しています。

光デバイス向けでは、ブルーレイ*2ディスクプレーヤー、CD/DVD機器のピックアップ用レーザーダイオードや、液晶ディスプレイのバックライトや照明に用いられるLEDなど産業の各分野に広く使われています。

当社では鉛を含まない圧電薄膜結晶KNN:ニオブ酸カリウムナトリウムの開発も進め、環境負荷物質を低減した社会の実現を目指しています。

  • *1単結晶基板上に結晶方位を揃えて形成する単結晶の薄膜
  • *2ブルーレイ(Blu-ray)は、ブルーレイディスクアソシエーションの登録商標です
    Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 強誘電体
デバイス GaN
単結晶基板
GaN
テンプレート
GaN
エピタキシャル
ウェハ
GaAs
エピタキシャル
ウェハ
KNN薄膜
光デバイス 可視LED      
紫外LED      
レーザーダイオード      
電子デバイス 低雑音トランジスタ
(MESFET, HEMT, HBT)*3
       
高出力トランジスタ
(MESFET, HEMT, HBT)*3
   
マイクロ波モノリシックIC        
高周波スイッチ        
電力デバイス      
圧電素子 加速度/角速度センサ        
アクチュエータ        
  • *3MESFET: Metal-Semiconductor Field Effect Transistor
    HEMT: High Electron Mobility Transistor
    HBT: Hetero-junction Bipolar Transistor
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